碳化硅金刚石陶瓷的制备及其导热性能

来源：金刚石与磨料磨具工程 【在线投稿】栏目：期刊导读时间：2021-05-03

以碳化硅（SiC）和金刚石为原料,以氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在1850℃保温1h无压烧结制备了SiC-金刚石陶瓷。研究了金刚石含量（质量分数分别为0、0.25%、0.5%、1.0%、2.5%、5%）对SiC-金刚石陶瓷性能的影响。结果表明:随金刚石含量（0.25%～5%（w））的增加,SiC-金刚石陶瓷的致密度逐渐下降,晶粒尺寸先增大后减小。当添加0.25%（w）的金刚石时,试样性能最好,其致密度、热导率和比热容分别为90.3%、83.2W·m^-1·K^-1和0.71J·g^-1·K^-1。